SI2304DDS-T1-GE3 Артикул: 250627 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 1595 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 111 306 1000 1500 Без НДС: 25.27 грн. 16.74 грн. 12.41 грн. 10.95 грн. 7.96 грн. 7.51 грн. 7.38 грн. 7.32 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	2,1нC; 2.1нC;
Монтаж:	SMD
Мощность:	1.1Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,1Вт; 1.1Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,075Ом; 0.075Ом; 75мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3,3А; 3.3А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23.

Теги: VISHAY., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 3, 3А, 1, 1Вт, SOT23.