IPN50R950CEATMA1 Артикул: 251441 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3	Кол-во: 2299 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 3 25 50 137 3000 Без НДС: 26.61 грн. 23.93 грн. 17.82 грн. 16.87 грн. 16.49 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PG-SOT223
Производитель:	INFINEON TECHNOLOGIES
Заряд затвора:	10,5нC; 10.5нC;
Монтаж:	SMD
Мощность:	5Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	500В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	5Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,95Ом; 950мОм;
Технология:	CoolMOS™ CE
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	4,2А; 4.2А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,2А; 5Вт; PG-SOT223.

Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 4, 2А, 5Вт, PG-SOT223.