|
|
IPB80P04P4L04ATMA1Артикул: 251408 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -80А; 125Вт; PG-TO263-3. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO263-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Заряд затвора: | 135нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 125Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±16В |
| Напряжение сток-исток: | -40В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 125Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
4,4мОм; 4.4мОм; |
| Технология: | OptiMOS™ P2 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -80А |
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -80А; 125Вт; PG-TO263-3.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -40В, -80А, 125Вт, PG-TO263-3.