|
|
IPB180N04S4H0ATMA1Артикул: 251401 Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO263-7 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Заряд затвора: | 173нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 250Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 40В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 250Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
1,1мОм; 1.1мОм; |
| Технология: | OptiMOS™ T2 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 180А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, OptiMOS™ T2, полевой, 40В, 180А, 250Вт.