|
|
DMN2004VK-7Артикул: 277705 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,39А; 0,25Вт; SOT563. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT563 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | 20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,25Вт; 0.25Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,4Ом; 400мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET x2 |
| Ток стока: |
0,39А; 0.39А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,39А; 0,25Вт; SOT563.
Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET x2, полевой, 20В, 0, 39А, 0, 25Вт, SOT563.