|
|
DMN10H170SFG-13Артикул: 277702 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; 1,3Вт; PowerDI®3333-8. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PowerDI®3333-8 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
1,3Вт; 1.3Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,133Ом; 133мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
2,7А; 2.7А; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,7А; 1,3Вт; PowerDI®3333-8.
Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 2, 7А, 1, 3Вт, PowerDI®3333-8.