|
|
AOC3878Артикул: 303183 Транзистор: N-MOSFET x2; 12В; Характеристики: ESD protected gate. Производитель: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 5000 Минимальный заказ позиции: 5000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | DFN10 |
| Производитель: | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Заряд затвора: | 60нC |
| Конструкция диода: | общий сток |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | 12В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 3,1Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 2мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET x2 |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET x2; 12В; Характеристики: ESD protected gate.
Теги: Транзисторы многоканальные, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET x2, 12В, Характеристики: ESD protected gate