|
|
MSCSM120AM08CT3AGАртикул: 470845 Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 268А; SP3F; винтами; Idm: 675А. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 2 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SP3F |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 675А |
| Конструкция диода: | диод SiC/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Потери мощности: | 1409Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 7,8мОм |
| Технология: | SiC |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 268А |
| Топология: |
полумост MOSFET + параллельные диоды; термистор NTC; |
| Электрический монтаж: | Press-in PCB |
Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 268А; SP3F; винтами; Idm: 675А.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, диод SiC/транзистор, 1, 2кВ, 268А, SP3F, винтами, Idm: 675А