|
|
IXTN32P60PАртикул: 215652 Single transistor; SOT227B; Ifsm: -128A; Id: -32A; 890W; Ugs: ±20V. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | -96А |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 480нс |
| Заряд затвора: | 196нC |
| Импульсный ток: |
-128А; -96А; |
| Конструкция диода: |
single transistor; одиночный транзистор; |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Мощность: | 890Вт |
| Напряжение затвор-исток: |
±20В; ±30В; |
| Напряжение сток-исток: | -600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 890Вт |
| Рабочая температура: | -55...150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 350мОм |
| Технология: | PolarP™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | -32А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Single transistor; SOT227B; Ifsm: -128A; Id: -32A; 890W; Ugs: ±20V.
Теги: IXYS., Single transistor, SOT227B, Ifsm: -128A, Id: -32A, 890W, Ugs: ±20V.