|
|
IXKN75N60CАртикул: 191585 Модуль: транзисторный; Id:50А; SOT227B; Urmax:600В; винтами. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | IXYS |
| Pulsed drain current: | 250А |
| Вид упаковки: | россыпью |
| Время готовности: | 580нс |
| Заряд затвора: | 500нC |
| Импульсный ток: | 250А |
| Конструкция диода: |
single transistor; одиночный транзистор; |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Мощность: | 560Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Обратное напряжение макс.: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 560Вт |
| Рабочая температура: | -40...150°C |
| Серия: | HiPerFET™ |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 36мОм |
| Технология: | CoolMOS™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип модуля: |
полевой МОП-транзистор; транзисторный; |
| Ток стока: | 50А |
| Электрический монтаж: | винтами |
| PDF: |
|
Модуль: транзисторный; Id:50А; SOT227B; Urmax:600В; винтами.
Теги: IXYS., Модуль: транзисторный, Id:50А, SOT227B, Urmax:600В, винтами.