|
|
APTM120U10SCAVGАртикул: 435257 Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 86А; SP6; Ugs: ±30В; винтами. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SP6 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 464А |
| Конструкция диода: | диод SiC/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Потери мощности: | 3,29кВт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 120мОм |
| Технология: |
POWER MOS 7®; SiC; |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 86А |
| Топология: | одиночный транзистор + последовательный диод + параллельный диод |
| Электрический монтаж: | винтами |
Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 86А; SP6; Ugs: ±30В; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, диод SiC/транзистор, 1, 2кВ, 86А, SP6, Ugs: ±30В, винтами