|
|
APTM100H45SCTGАртикул: 435218 Модуль; диод SiC/транзистор; 1кВ; 14А; SP4; Ugs: ±30В; винтами. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 6 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SP4 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 72А |
| Конструкция диода: | диод SiC/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Потери мощности: | 357Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 540мОм |
| Технология: |
POWER MOS 7®; SiC; |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 14А |
| Топология: |
мост H + параллельные диоды; термистор NTC; |
| Электрический монтаж: |
винтами; коннекторы FASTON; |
Модуль; диод SiC/транзистор; 1кВ; 14А; SP4; Ugs: ±30В; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, диод SiC/транзистор, 1кВ, 14А, SP4, Ugs: ±30В, винтами