|
|
APTC80H29SCTGАртикул: 434944 Модуль; диод SiC/транзистор; 800В; 11А; SP4; Ugs: ±30В; винтами. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 8 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SP4 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 60А |
| Конструкция диода: | диод SiC/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Потери мощности: | 156Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 290мОм |
| Технология: |
CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET; |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 11А |
| Топология: |
Н мост; термистор NTC; |
| Электрический монтаж: |
винтами; коннекторы FASTON; |
Модуль; диод SiC/транзистор; 800В; 11А; SP4; Ugs: ±30В; винтами.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, диод SiC/транзистор, 800В, 11А, SP4, Ugs: ±30В, винтами