SSM3J328R,LF(T Артикул: 284957 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; SOT23F. Производитель: TOSHIBA		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 5	Кол-во: 2080 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 5 10 25 50 100 154 424 1000 3000 Без НДС: 24.45 грн. 16.28 грн. 12.84 грн. 11.03 грн. 9.53 грн. 5.84 грн. 5.51 грн. 5.45 грн. 5.38 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23F
Производитель:	TOSHIBA
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	12,8нC; 12.8нC;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	88,4мОм; 88.4мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-6А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1Вт; SOT23F.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, TOSHIBA, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -6А, 1Вт, SOT23F