|
|
SISS23DN-T1-GE3Артикул: 406867 Транзистор: P-MOSFET. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 8487 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | PowerPAK® 1212-8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | -200А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 300нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | -20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 36Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 4,5мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -50А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET