|
|
SI4455DY-T1-GE3Артикул: 283646 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: |
23,2нC; 23.2нC; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -150В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
3,8Вт; 3.8Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,295Ом; 0.295Ом; 295мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: |
-2,3А; -2.3А; |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -150В, -2, 3А, 3, 8Вт, SO8