SI4435DYTRPBFАртикул: 403140 Транзистор: P-MOSFET. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2438 Срок поставки 20-30 дней |
|||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | -50А |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 2,5Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 20мОм |
| Технология: | HEXFET® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -6,4А |
Транзистор: P-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: P-MOSFET

