SI4431CDY-T1-GE3Артикул: 406757 Транзистор: P-MOSFET. Производитель: VISHAY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1843 Срок поставки 20-30 дней |
|||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | -30А |
| Заряд затвора: | 38нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 2,7Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 32мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -7,2А |
Транзистор: P-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET

