(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • В корзине пусто!


  • SI3407DV-T1-GE3

SI3407DV-T1-GE3

Артикул: 283636


Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6.

Производитель: VISHAY


PDF
 Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1 		Кол-во:
2631


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 25 50 100 500
Без НДС: 26.16 грн. 20.43 грн. 18.71 грн. 17.50 грн. 16.36 грн. 15.98 грн.
Корпус: TSOP6
Производитель: VISHAY
#Promotion: vishay_201906
Вид упаковки: бобина;
лента;
Заряд затвора: 21нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: ±12В
Напряжение сток-исток: -20В
Полярность: полевой
Потери мощности: 2,7Вт;
2.7Вт;
Сопротивление в открытом состоянии: 0,024Ом;
0.024Ом;
24мОм;
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Ток стока: -8А
PDF:
PDF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -8А, 2, 7Вт, TSOP6