|
|
SI2337DS-T1-GE3Артикул: 283633 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,75А; 1,6Вт; SOT23. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1786 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | SOT23 |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 7нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -80В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
1,6Вт; 1.6Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,27Ом; 0.27Ом; 270мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: |
-1,75А; -1.75А; |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,75А; 1,6Вт; SOT23.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -80В, -1, 75А, 1, 6Вт, SOT23