|
|
SI1013R-T1-GE3Артикул: 275749 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SC75A |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: |
1,5нC; 1.5нC; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±6В |
| Напряжение сток-исток: | -20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,08Вт; 0.08Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
2,7Ом; 2.7Ом; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: |
-0,275А; -0.275А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A.
Теги: VISHAY., Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -0, 275А, 0, 08Вт, SC75A.