|
|
IXTA18P10TАртикул: 282561 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO263. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO263 |
| Производитель: | IXYS |
| Вид упаковки: | туба |
| Время готовности: | 62нс |
| Заряд затвора: | 39нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±15В |
| Напряжение сток-исток: | -100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 83Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,12Ом; 0.12Ом; 120мОм; |
| Технология: | TrenchP™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -18А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO263.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -18А, 83Вт, TO263