|
|
IRFD210PBFАртикул: 093671 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 600мА; 1Вт; DIP4 Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | DIP4 |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Заряд затвора: |
8,2нC; 8.2нC; |
| Монтаж: | THT |
| Мощность: | 1Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 200В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
1,5Ом; 1.5Ом; 1500мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
0,38А; 0.38А; 0.6А; 600мА; |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 600мА; 1Вт; DIP4
Теги: VISHAY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 600мА, 1Вт, DIP4