|
|
IPA60R180P7XKSA1Артикул: 463116 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11А; Idm: 53А; 26Вт; TO220FP. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO220FP |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 53А |
| Вид упаковки: | туба |
| Заряд затвора: | 25нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 650В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 26Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 180мОм |
| Технология: | CoolMOS™ P7 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 11А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11А; Idm: 53А; 26Вт; TO220FP.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, INFINEON TECHNOLOGIES, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 11А, Idm: 53А, 26Вт, TO220FP