ZXMN4A06GTA Артикул: 215788 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 384 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 21 25 Без НДС: 58.37 грн. 44.36 грн. 43.73 грн. 39.72 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT223
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	2Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	40В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	2Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,075Ом; 0.075Ом; 75мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	5,6А; 5.6А;
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 5, 6А, 2Вт, SOT223.