YJL03G10A Артикул: 490977 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3А; Idm: 121А; 1,2Вт; SOT23. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 25	Кол-во: 3000 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 25 100 250 268 736 3000 Без НДС: 4.62 грн. 4.15 грн. 3.68 грн. 3.31 грн. 3.13 грн. 3.08 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	YANGJIE TECHNOLOGY
Pulsed drain current:	121А
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	4,3нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	140мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	3А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3А; Idm: 121А; 1,2Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 3А, Idm: 121А, 1, 2Вт, SOT23