|
|
YJG80G06AАртикул: 279919 Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 50А; 38Вт. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1975 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||
|
|
||||||||||||||||
| Корпус: | DFN5060-8 |
| Производитель: | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 320А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 67нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 38Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 5мОм |
| Технология: | SPLIT GATE TRENCH |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 50А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 50А; 38Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 50А, 38Вт