|
|
YJD60N04AАртикул: 279915 Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; 40В; 42А; Idm:200А. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY |
 |
Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 10 |
Кол-во: 155 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | TO252 |
| Производитель: | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 200А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 29нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 40В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 35Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
9,5мОм; 9.5мОм; |
| Технология: | TRENCH POWER LV |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 42А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; 40В; 42А; Idm:200А.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, TRENCH POWER LV, полевой, 40В, 42А, Idm:200А