|
|
YJ4N60CPАртикул: 490961 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 51Вт; TO252. Производитель: YANGJIE TECHNOLOGY |
 |
Кратность заказа позиции: 5000 Минимальный заказ позиции: 5000 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO252 |
| Производитель: | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 16А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 20нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 51Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 2,5Ом |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 4А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; Idm: 16А; 51Вт; TO252.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, YANGJIE TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 4А, Idm: 16А, 51Вт, TO252