|
|
RU1C001UNTCLАртикул: 496697 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт. Производитель: ROHM SEMICONDUCTOR |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT323F |
| Производитель: | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Pulsed drain current: | 0,4А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | 20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 150мВт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 5,6Ом |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 100мА |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, ROHM SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 100мА, Idm: 0, 4А, 150мВт