LGE3M160120E Артикул: 888443 Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт. Производитель: LUGUANG ELECTRONIC		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 0
				В корзину

• Характеристики
• Описание

PDF:

Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, LUGUANG ELECTRONIC, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1, 2кВ, 11А, Idm: 38А, 127Вт