|
|
IPT029N08N5ATMA1Артикул: 251534 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-HSOF-8-1. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: |
PG-HSOF-8; PG-HSOF-8-1; |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Pulsed drain current: | 676А |
| Вид упаковки: | лента |
| Заряд затвора: | 70нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 167Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 80В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 167Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
2,9мОм; 2.9мОм; |
| Технология: | OptiMOS™ 5 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 120А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-HSOF-8-1.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 120А, 167Вт, PG-HSOF-8-1.