|
|
IPN80R600P7ATMA1Артикул: 247072 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; SOT223. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-SOT223 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Вид упаковки: | бобина |
| Заряд затвора: | 20нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 7.4Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
7,4Вт; 7.4Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,6Ом; 600мОм; |
| Технология: | CoolMOS™ P7 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
5,5А; 5.5А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; SOT223.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 5, 5А, 7, 4Вт, SOT223.