|
|
IPN60R600P7SATMA1Артикул: 251505 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-SOT223 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Заряд затвора: | 9нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 7Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 7Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,6Ом; 600мОм; |
| Технология: | CoolMOS™ P7 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 4А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 4А, 7Вт, PG-SOT223.