|
|
IPG20N04S408ATMA1Артикул: 251432 Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TDSON-8 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Заряд затвора: | 28нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 65Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 40В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 65Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
7,6мОм; 7.6мОм; |
| Технология: | OptiMOS™ T2 |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET x2 |
| Ток стока: | 20А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET x2, OptiMOS™ T2, полевой, 40В, 20А, 65Вт.