|
|
IPD30N08S222ATMA1Артикул: 251413 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3. Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | PG-TO252-3 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Заряд затвора: | 44нC |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 136Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 75В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 136Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
21,5мОм; 21.5мОм; |
| Технология: | OptiMOS™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 30А |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3.
Теги: INFINEON TECHNOLOGIES., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 30А, 136Вт, PG-TO252-3.