|
|
DMN66D0LDW-7Артикул: 402728 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT363 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Pulsed drain current: |
0,8А; 800мА; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 60В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,25Вт; 250мВт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 5Ом |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: |
N-MOSFET; N-MOSFET x2; |
| Ток стока: |
0,073А; 73мА; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET