|
|
DMN63D8LDW-7Артикул: 402727 Транзистор: N-MOSFET. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2824 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||
| Корпус: | SOT363 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Pulsed drain current: |
0,8А; 800мА; |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,3Вт; 0,4Вт; 300мВт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
2,8Ом; 4,5Ом; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: |
N-MOSFET; N-MOSFET x2; |
| Ток стока: |
0,17А; 170мА; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET