|
|
DMN2990UFA-7BАртикул: 278542 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,33А; 0,4Вт; X2-DFN0806-3. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | X2-DFN0806-3 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±8В |
| Напряжение сток-исток: | 20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,4Вт; 0.4Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
2,4Ом; 2.4Ом; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
0,33А; 0.33А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,33А; 0,4Вт; X2-DFN0806-3.
Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0, 33А, 0, 4Вт, X2-DFN0806-3