|
|
DMN26D0UT-7Артикул: 247047 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523. Производитель: DIODES INCORPORATED |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SOT523 |
| Производитель: | DIODES INCORPORATED |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Монтаж: | SMD |
| Мощность: | 0.3Вт |
| Напряжение затвор-исток: | ±10В |
| Напряжение сток-исток: | 20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: |
0,3Вт; 0.3Вт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 15Ом |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: |
0,23А; 0.23А; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523.
Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0, 23А, 0, 3Вт, SOT523.