DMN2028USS-13 Артикул: 215326 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,3А; 12,5Вт; SO8. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2455 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 50 60 164 Без НДС: 27.62 грн. 23.49 грн. 21.96 грн. 18.71 грн. 14.89 грн. 14.13 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Мощность:	12.5Вт
Напряжение затвор-исток:	±12В
Напряжение сток-исток:	20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	12,5Вт; 12.5Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	0,028Ом; 0.028Ом; 28мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	7,3А; 7.3А;
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,3А; 12,5Вт; SO8.

Теги: DIODES INCORPORATED., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 7, 3А, 12, 5Вт, SO8.