IXTX210P10T Артикул: 0286039 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -210А; 1040Вт. Производитель: IXYS		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 15 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 10 30 Без НДС: 1 734.96 грн. 1 640.49 грн. 1 604.65 грн. 1 577.29 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	PLUS247™
Производитель:	IXYS
Вид упаковки:	туба
Время готовности:	200нс
Заряд затвора:	740нC
Монтаж:	THT
Напряжение затвор-исток:	±15В
Напряжение сток-исток:	-100В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,04кВт
Сопротивление в открытом состоянии:	7,5мОм
Технология:	TrenchP™
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-210А
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -210А; 1040Вт.

Теги: Транзисторы с каналом P THT, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -210А, 1040Вт