|
|
IXTX170P10PАртикул: 286038 Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -170А; 890Вт; 176нс. Производитель: IXYS |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: |
PLUS247; PLUS247™; |
| Производитель: | IXYS |
| Вид упаковки: | туба |
| Время готовности: | 176нс |
| Заряд затвора: | 240нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | -100В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 890Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 14мОм |
| Технология: | TrenchP™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -170А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -170А; 890Вт; 176нс.
Теги: Транзисторы с каналом P THT, IXYS, Транзистор: P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -100В, -170А, 890Вт, 176нс