IRFD9220PBF Артикул: 093680 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -600мА; 1Вт; DIP4 Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 135 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 24 66 Без НДС: 142.45 грн. 66.52 грн. 35.14 грн. 33.26 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	DIP4
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Заряд затвора:	15нC
Монтаж:	THT
Мощность:	1Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-200В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,5Ом; 1.5Ом; 1500мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-0,36А; -0.36А; -0.6А; -600мА;
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -600мА; 1Вт; DIP4

Теги: VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -600мА, 1Вт, DIP4