IRFD9210PBF Артикул: 093679 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -400мА; 1Вт; DIP4 Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2075 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 10 25 35 95 500 1000 Без НДС: 82.82 грн. 69.14 грн. 59.99 грн. 46.18 грн. 26.01 грн. 24.65 грн. 24.00 грн. 23.87 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	DIP4
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Заряд затвора:	8,9нC; 8.9нC;
Монтаж:	THT
Мощность:	1Вт
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-200В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	3000мОм; 3Ом;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-0,25А; -0.25А; -0.4А; -400мА;
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -400мА; 1Вт; DIP4

Теги: VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -400мА, 1Вт, DIP4