(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • IRF5210PBF

IRF5210PBF

Артикул: 093167


Транзистор: P-MOSFET; полевой; HEXFET; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB

Производитель: INFINEON (IRF)



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
800


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 15 39
Без НДС: 143.88 грн. 111.83 грн. 59.06 грн. 55.92 грн.
Корпус: TO220AB
Производитель: Infineon (IRF);
INFINEON TECHNOLOGIES;
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 120нC
Монтаж: THT
Мощность: 200Вт
Напряжение затвор-исток: 20В;
±20В;
Напряжение сток-исток: -100В
Полярность: полевой
Потери мощности: 200Вт
Серия: HEXFET®
Сопротивление в открытом состоянии: 60мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.75К/Вт
Технология: HEXFET®
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: P-MOSFET
Тип транзистора: HEXFET
Ток стока: -40А
PDF:
PDF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; HEXFET; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB

Теги: FISCHER ELEKTRONIK, Изолирующая накладка, TO220, 0, 4К/Вт, 1, 22Вт/мК, 0, 3мм, UL94V-0