SQ2301ES-T1_GE3 Артикул: 283656 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 829 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 20 62 170 1000 3000 Без НДС: 36.85 грн. 30.62 грн. 27.37 грн. 14.32 грн. 13.56 грн. 13.43 грн. 13.18 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	8нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±8В
Напряжение сток-исток:	-20В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	0,12Ом; 0.12Ом; 120мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-2,2А; -2.2А;
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; 1Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -2, 2А, 1Вт, SOT23