|
|
SISS05DN-T1-GE3Артикул: 382534 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 2495 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | PowerPAK® 1212-8 |
| Производитель: | VISHAY |
| Pulsed drain current: | -300А |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 115нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | -20...16В |
| Напряжение сток-исток: | -30В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 42Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 5,8мОм |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -86,6А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -86, 6А, Idm: -300А, 42Вт