|
|
SI9933CDY-T1-GE3Артикул: 283652 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8. Производитель: VISHAY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1487 Срок поставки 20-30 дней |
||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | SO8 |
| Производитель: | VISHAY |
| #Promotion: | vishay_201906 |
| Вид упаковки: |
бобина; лента; |
| Заряд затвора: | 8нC |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение затвор-исток: | ±12В |
| Напряжение сток-исток: | -20В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 2Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
0,058Ом; 0.058Ом; 58мОм; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | P-MOSFET |
| Ток стока: | -4А |
| PDF: |
|
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 2Вт; SO8.
Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -4А, 2Вт, SO8