SI4425DDY-T1-GE3 Артикул: 283645 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,7А; 3,6Вт; SO8. Производитель: VISHAY		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1	Кол-во: 2391 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 40 108 2500 Без НДС: 48.69 грн. 43.35 грн. 22.60 грн. 21.32 грн. 21.07 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	VISHAY
#Promotion:	vishay_201906
Вид упаковки:	бобина; лента;
Заряд затвора:	27нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	3,6Вт; 3.6Вт;
Сопротивление в открытом состоянии:	9,8мОм; 9.8мОм;
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	P-MOSFET
Ток стока:	-15,7А; -15.7А;
PDF:

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,7А; 3,6Вт; SO8.

Теги: Транзисторы с каналом P SMD, VISHAY, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -15, 7А, 3, 6Вт, SO8